突破EUV光刻机限制,纳米压印技术,后年实现5nm芯片?

众所周知,目前制造7nm以下芯片时,必须用到EUV光刻机。

而EUV光刻机,只有ASML一家能够生产,可以说ASML卡住了全球所有芯片制造厂商的脖子。


(资料图片仅供参考)

那为何其它光刻机厂商,就不制造EUV光刻机呢?这不仅仅是技术问题,更是商业问题,因为ASML已经牵手了整个EUV光刻机产业链,将大家绑定在自己的战车上了,其它厂商想生产也没办法。

所以,其它厂商像佳能、尼康等,都不再研究EUV光刻机,因为研究也研究不出来,大家换转赛道,想换道超车。

有的厂商研发NIL纳米压印技术,有的研究BLE电子束光刻机技术,也有的研究X射线技术,还有研究DSA自生长技术,均是想办法绕开EUV光刻机。

其中NIL纳米压印技术,最被大家看好,觉得这可能是突破EUV光刻机限制的最佳途径之一,众多厂商在研究,并已经有了实际应用。

按照机构的数据,2022年全球纳米压印技术市场规模达到亿美元。 而佳能在NIL纳米压印技术上,表现最好,目前NIL已经将这项技术应用于铠侠的存储芯片制造中之中,不过工艺还较为落后。

不过佳能表示, 到2025年,Canon将研发出生产5纳米芯片的设备,可以做到取代EUV光刻机。

而国内在NIL纳米压印技术上,也表现不错,比如华为哈勃投资的 天仁微纳,就有纳米压印设备,已经实现了最大150/300mm基底面积上高精度(优于10nm )复制量产。

可以说,目前NIL纳米压印技术,已经到了突破的关键节点,如果一切顺利,真的会如佳能所言,2025年就能够进入5nm时代。

而一旦进入5nm时代,估计ASML的王者地位就再也保不住了,更关键的是相比于EUV光刻机技术,NIL纳米压印技术门槛相对更低,中国厂商也完全有可能实现,那么中国芯片产业就不怕美国在光刻机上卡脖子了。

所以让我们期待一下,2025年NIL纳米压印技术,究竟能不能实现5nm,一旦实现,全球的半导体格局,都会面临大洗牌。

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