HBM内存产能预计2024年增长105%

近日，行业研究机构TrendForce发布了最新的市场调查报告，显示由于英伟达AI GPU及其他云端服务商自研芯片增加订单，存储器原厂正积极扩大TSV产线，以提高HBM内存的产能，预计2024年HBM出货量将增长105%。

据分析，2023年至2024年为AI爆发期，AI芯片集中了大量的需求，并推动了HBM内存使用量拉升。存储器原厂此刻正在面临HBM扩产的抉择，一方面需要满足客户的需求并扩大市场占有率，另一方面又但系过度扩产导致供过于求无法平衡价格。过去数年的半导体供应转变让存储器供应商明白了一点，在买方预期可能缺货的情况下，需求量隐含了超额下单的风险。

TrendForce指出，2023年市场主流需求已经从HBM2e转向HBM3，需求比重预期分别为50%和39%。随着HBM3大规模普通，2024年将出现大幅度转向，直接超越HBM2e，比重达到60%。同时得益于HBM3更高的平均销售价格（ASP），将带动明年HBM营收显著增长。

目前SK海力士的HBM3领先于其他供应商，主要负责向英伟达提供产品；三星着重于满足云端服务者的订单，缩小了与SK海力士之间的市场占有率差距；相比于SK海力士和三星规划扩产，美光重点放在了HBM3e的开发上，预计市场占有率会下降。TrendForce预计2023年至2024年，SK海力士和三星两者相加将占有约95%的市场份额。

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