研究机构：6G网络将延伸至非地面通讯，推升GaN通讯元件新需求

(资料图)

IT之家 1 月 19 日消息，据 DIGITIMES 研究报告，随氮化镓 (GaN) 通讯元件于工艺及磊晶技术持续精进，将由现行散热较佳的碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 结构，朝着即将试产的 GaN on GaN 及磊晶质量改善后的硅基氮化镓 (GaN on Si) 架构发展， 以支持后续 6G 网络通讯在低轨卫星及智能手机等场景应用 。再者，因 6G 网络将整合 4G 与 5G 通讯的云端及边缘运算能力，并提供更宽广的 6G 网络频段、资料传输率及传输范围，亦有望推升 GaN 通讯元件于高频及高功率环境下的终端需求。（磊晶，Epitaxy 是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有晶片上长出新结晶，以制成新半导体层的技术）

由于通讯网络技术的不断升级，从原先单纯语音传输的 2G 到现行复杂物联网的 5G、再至未来整合多元传感器的 6G 网络，将提供人们更加便捷的通讯生活。 6G 网络无论于频谱效率、通讯能效及数据传输率等皆更胜 5G ，且 6G 拥有更宽广的网络频段与可支持非地面通讯 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通讯元件于 6G 网络生态系的渗透比例。

IT之家了解到，GaN 通讯元件因高频及高功率的材料特性，适合在如基站内的功率放大器 (Power Amplifier；PA) 等严苛的工作环境操作。现行 GaN 通讯元件结构多数以散热条件较佳的 GaN on SiC 异质磊晶结构为主。DIGITIMES Research 认为，未来随同质 GaN on GaN 元件接续问世及 GaN on Si 磊晶质量获得改善，其将渐应用于 6G 网络通讯于低轨卫星及智能手机等终端场景。

关键词： 智能手机 网络通讯 功率放大器

推荐DIY文章

主机存在磨损或划痕风险 PICO4便携包宣布召回

穿越湖海！特斯拉Cybertruck电动皮卡可以当“船”用

vivoXFold+折叠旗舰开售 配备蔡司全焦段旗舰四摄

飞凡R7正式上市 全系标配换电架构

中兴Axon30S开售 拥有黑色蓝色两款配色

荣耀MagicBookV14 2022正式开售 搭载TOF传感器