日前,DRAMeXchange集邦咨询半导体研究中心报告显示,随着64/72层3D NAND良品率不断提高及供给持续增加,2018第三季度NANDFlash供给稳定增长;而受周边电子元件缺货及中美摩擦影响,闪存芯片价格平均降低10-15%。
具体而言,如三星在Q3季度位元出货量虽实现近20%的季成长。但受外围影响,三星闪存芯片平均单价下跌15%,第三季营收为60.5亿美元,较上季增长2.1%。
同样,受智能手机以及PC SSD市场推动,SK海力士位元出货量在第三季度实现19%的季成长,同样受大环境影响,供过于求局面无法扭转,SK海力士闪存芯片平均单价下跌10%,整体营收18.3亿美元,较上季增长6.0%。除三星、SK海力士外,英特尔、美光、东芝及西数四家厂商闪存芯片平均单价均有不同程度下跌。
究其缘由,64/72层3D NAND良品率不断提高,使得闪存芯片出货量持续增加,而受英特尔CPU缺货、中美摩擦不断,闪存需求量并不积极,NAND市场供大于求。
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