集微网消息,伴随智能手机、可穿戴设备、汽车电子等应用对存储提出更高要求,封装作为将半导体器件转变成最终功能产品的最后一项制造工艺,也随着存储芯片产品的发展而不断迭代。
华天科技作为全球半导体封测知名企业,为客户提供封装设计、封装仿真、引线框封装、基板封装、晶圆级封装、晶圆测试及功能测试、物流配送等一站式服务,在封测领域沉淀了丰富经验。
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4月27日,集微网举办了第64期“集微公开课”活动,特邀华天科技(南京)有限公司Memory事业部总经理兼Memory研发总监周健威,以“Memory封装技术趋势分析”为主题,结合存储产品市场趋势变化与大家细致讲解数据中心、消费电子等应用领域中DRAM、NAND等多种存储产品的封装技术选择与迭代,其中还包括3D Stack、HBM等多种新型封装技术的实践指导。
Memory市场增长点
作为半导体市场占比最大类目,存储芯片产品长期占据整个半导体市场约1/3-1/4份额,其中DRAM和NAND产品则以超90%的市场占比,以三星、美光、SK海力士为主要玩家,形成了相对稳定的市场格局和产品形态。
近年来,受新兴应用的带动,存储市场容量在不断扩大。周健威介绍,尽管去年存储芯片产品价格一路下跌,2022年全球存储市场规模较2021年下滑了约15%,但存储市场容量依然在稳步增长,其中NAND Flash市场容量规模增长了6%,达到610B GB;DRAM市场容量规模增长了4%,达到194B GB。
目前,在存储芯片应用领域,智能手机等移动终端、PC和数据中心是主流方向,自动驾驶、云计算带动下的存储应用则为新兴方向。
周健威分析指出,目前手机、PC市场需求已经趋于饱和,服务器市场需求一直在稳步提升,汽车市场需求增速则达到最快。其中,自动驾驶对车规存储的需求,5G、云计算带动下的服务器存储应用,固态硬盘对机械硬盘的替代应用,ChatGPT大模型应用对海量内存芯片的需求,是业内关注的重点。
周健威介绍,以高端显卡显存为例,为支撑对海量数据进行处理/训练的需求,OpenAI已使用了约2.5万个英伟达的GPU(A100/H100),其中每A100/H100有6颗HBM芯片,同时还要搭配相应的16通道4800MHz DDR5 DIMM。受ChatGPT爆火带动,近期HBM3规格DRAM价格上涨了5倍。HBM-PIM存算一体技术也成为了未来的主要发展方向。
HBM封装是使用3D-TSV技术把多个DRAM芯片堆叠起来的封装技术,凭借高带宽、高性能、低功耗等技术优势,在高端显卡显存领域广泛应用,因其硅通孔数量在数千个,技术难度高。周健威提到,HBM封装市场原本很小,不过受人工智能市场影响,HBM市场规模预计到2025年翻一番,其增长非常惊人。
存储封装技术选择与市场增长逻辑
周健威介绍,应用端产品因尺寸、性能、形态等方面的差异,其采用的封装形式大多不同。其中,移动终端DRAM (LPDDR/eMCP类)市场,以WB-FBGA为主;Server/PC用标准型DDR,以Window FBGA、FC封装为主;嵌入式NAND产品中eMMC类根据接口标准不同以eMMC、UFS为主,eMCP类以eMCP、ePoP、uMCP封装为主;SSD产品主要为标准型SSD,封装多采用WB-FBGA。
以DDR系列产品为例,周健威介绍道:Window FBGA封装,因线长较短信号传输好且成本较低,在此前被三星、SK海力士和美光等主流厂商广泛采用,但伴随内存条产品发展到DDR4,三星、SK海力士很多产品开始转向采用FC封装,其传输路径更短电性能表现更好。值得一提,尽管FC封装成本比Window FBGA略高,得益于规模效应,两者成本基本持平。此外,现在高端产品如DDR5,考虑到性能要求、信号损失等多方面因素,目前则多采用TSV硅通孔堆叠封装,通过硅通孔把多芯片的I/O连接,同时实现多芯片堆叠来扩容并达到更小的信号损失。
周健威介绍,伴随产品轻量化、小型化发展,封装形式在向高集中度小型化发展。在此背景下,更短更多传输路径、更高性能产品趋势下,ePOP等先进封装相继出现;频率提升的技术趋势,促使封装从WB向FC封装切换;高频和大容量产品趋势下,3D TSV先进封装的应用也在逐渐推广;高带宽、大容量的技术趋势下,HBM封装市场则开始出现显著增长。
对于业内普遍关注的先进技术,周健威认为,目前伴随HBM3的应用,Hybrid Bonding技术在多芯片堆叠上的优势值得关注。此外,NVM新型非易失性存储器新产品包括MRAM和RRAM等的开发,有其难点,业内解决方案仍然有待观察。
针对DRAM、NAND Flash、MCP等领域不同产品,华天科技提供不同的封测服务。
对此,周健威介绍道,华天在质量把控、系统化生产和技术能力上处于行业领先,其中,Memory业务在10年前就已开启,现在已具备丰富的量产经验,产量、良率管控方面在国内首屈一指,且覆盖了常见的产品种类。如Memory 封装+OS 量产良率可以做到99.95%以上,单芯片的NAND Flash搭配一个主控的结构,良率已能做到99.97%以上。
(校对/赵碧莹)
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